Nova solução da SK hynix promete chips de IA mais frios e eficientes com iHBM

A tecnologia iHBM da SK hynixé o novo trunfo da fabricante sul-coreana na corrida pelas memórias de alta largura de banda para inteligência artificial. Anunciada nesta semana, a tecnologia embute elementos de resfriamento dentro do próprio pacote da memória e reduz a resistência térmica em 30% em relação às soluções atuais.

A estreia oficial está prevista para a oitava geração da família, o HBM5, ainda sem data definida.

O alvo declarado pela empresa são GPUs de próxima geração para data centers de inteligência artificial e computação de alto desempenho, segmento dominado pela NVIDIA, principal cliente da SK hynix.

O problema térmico que limita a HBM atual

Antes de entender o que muda com a iHBM, vale revisitar o gargalo que ela tenta atacar. A memória HBM ganha velocidade ao empilhar várias DRAMs umas sobre as outras e ligar tudo ao acelerador por uma interface curta. Essa proximidade física é o que entrega mais largura de banda com menor consumo de energia.

O problema é que o calor não desaparece… Toda a energia dissipada precisa sair por algum caminho, e o ponto mais crítico é o D2D PHY (Die-to-Die Physical Layer), a camada que conecta o die base da HBM ao processador. É ali que a densidade de potência atinge picos, e é justamente nesse local que o calor estrangula o desempenho dos chips de IA.

Nos pacotes HBM atuais, o resfriamento acontece de forma indireta: o calor precisa atravessar o die principal antes de chegar à placa fria por cima.

Quanto mais camadas de memória empilhadas, mais difícil esse caminho fica, e a tendência é que produtos com 16, 20 ou mais camadas tornem o problema ainda mais grave.

Como funciona o ICE, o elemento de resfriamento integrado

A peça central do iHBM é o ICE (Integrated Cooling Element). Trata-se de um bloco fabricado com material à base de silício, escolhido por uma combinação rara: alta condutividade térmica e zero condutividade elétrica. Em outras palavras, dissipa calor sem causar curto-circuito nas trilhas vizinhas.

O ICE fica posicionado dentro do pacote, exatamente sobre o D2D PHY, ao lado do die principal da HBM.

Em vez de o calor precisar subir pelo empilhamento de DRAMs, ele encontra um atalho direto para a placa fria através do silício do ICE. É como abrir uma janela nova em um ambiente que só tinha uma porta de ventilação.

“iHBM é a solução ideal para o gerenciamento térmico, combinando nossas capacidades de design de memória com tecnologia avançada de empacotamento. Vamos cimentar nossa liderança em memória para IA antecipando o valor que os clientes vão demandar nesse ambiente”

Kangwook Lee, vice-presidente sênior e chefe de desenvolvimento de Package na SK hynix

A redução de 30% na resistência térmica anunciada pela empresa significa, na prática, que a memória pode manter operação estável em condições mais severas de temperatura e densidade.

Para o usuário final dos data centers, isso se traduz em menos throttling, sustentação de velocidades máximas de transferência por mais tempo e capacidade de empilhar camadas adicionais sem comprometer a estabilidade.

Compatível com produção atual graças ao MR-MUF

Um dos pontos técnicos mais importantes do anúncio é que o iHBM não exige uma reformulação completa das fábricas.

A SK hynix vai produzir os novos pacotes usando o mesmo processo de wafer-level packaging baseado em MR-MUF, a tecnologia de moldagem por refluxo em massa que a empresa já usa em alta escala desde o HBM3 e que será mantida no HBM4.

Característica	HBM convencional	SK hynix iHBM
Caminho de dissipação do calor	Indireto, via core die	Direto, via ICE no D2D PHY
Resistência térmica	Padrão de referência	Reduzida em 30%
Material do elemento de cooling	Não aplicável	Silício termicamente condutor e eletricamente isolante
Processo de fabricação	Wafer-Level Packaging + MR-MUF	Wafer-Level Packaging + MR-MUF
Mudanças no design System-in-Package	Não aplicável	Mínimas para os clientes
Geração de estreia	HBM3, HBM3E, HBM4	HBM5 (8ª geração)

A compatibilidade com System-in-Package existentes é providencial e significa que NVIDIA, Intel, bem como outros clientes, não precisam refazer a engenharia das placas aceleradoras para adotar o iHBM, apenas adaptar pontos específicos do layout.

Por que o HBM5 é a janela ideal de estreia

A escolha de estrear a tecnologia no HBM5 é bem estratégica, visto que as gerações intermediárias, HBM3E e HBM4, já estão em produção ou em rampa de fabricação com clientes definidos. A NVIDIA recebe módulos HBM4 da SK hynix para a arquitetura Vera Rubin, e a Intel confirmou parceria para os aceleradores Jaguar Shores.

Inserir o iHBM no HBM5 dá à SK hynix tempo para validar a tecnologia em escala antes de mirar o que vem depois.

A empresa também ganha distância da concorrência: a Samsung ainda corre atrás para emplacar HBM4 com qualidade, e a Micron mantém posição de terceira força no segmento.

A jogada conecta diretamente com o calendário comercial da NVIDIA. O presidente do SK Group, Chey Tae-won, vai se encontrar com Jensen Huang na semana que vem em Taipei, durante a Computex 2026 e o GTC Taipei. Pauta declarada: avanços em chips de IA e memórias HBM.

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SK hynix consolida liderança no segmento de HBM

A apresentação do iHBM reforça uma posição que a SK hynix vem construindo há três anos no mercado de hardware para IA.

A empresa foi a primeira a entrar em produção em massa de HBM3E de 12 camadas, a primeira a anunciar HBM4 com 16 camadas e 2 TB/s e agora a primeira a propor cooling integrado para o HBM5.

A Samsung tentou recuperar terreno no HBM3E, mas enfrentou problemas de rendimento. A Micron, embora respeitada, opera em escala menor que as duas sul-coreanas. O resultado é uma estrutura de mercado em que a SK hynix consegue ditar parte do calendário de inovação para todos os grandes fabricantes de aceleradores de IA.

A próxima etapa para iHBM é a validação com clientes; a SK hynix não revelou nomes de parceiros nem datas exatas de envio de amostras, mas a menção explícita à NVIDIA no contexto de HBM5 dá pistas claras de onde a tecnologia deve aparecer primeiro.

Fonte(s): SK hynix Newsroom (via PR Newswire)