Nova memória HBM4E da SK hynix chega a 48 GB por pilha e promete até 4 TB/s de desempenho
Na Computex 2026, a SK Hynix está apresentando uma prévia de seu novo chip de memória HBM4E. A nova solução oferece uma densidade de 32 Gb , o que representa um aumento de 33% em…
Na Computex 2026, a SK Hynix está apresentando uma prévia de seu novo chip de memória HBM4E. A nova solução oferece uma densidade de 32 Gb, o que representa um aumento de 33% em relação ao HBM4.
Com essas densidades, é possível atingir a mesma capacidade de 48 GB que o HBM4 alcança com stacks de 16 núcleos (Hi) utilizando apenas stacks de 12 núcleos (Hi). A HBM4E também é rápida, com velocidades de até 16 Gbps por pino, 37% maior em relação à HBM4, elevando a largura de banda da memória a um recorde de 4 TB/s.
E a SK Hynix já está na vanguarda da produção de HBM4E, apresentando amostras, e o primeiro uso dessa memória deverá ser nas GPUs Rubin Ultra da NVIDIA, que chegam no próximo ano.
A sucessora da Rubin apresentará um design mais denso e integrará múltiplas GPUs e chiplets HBM4E em um único pacote, proporcionando um salto recorde no desempenho de IA.
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Destinos conhecidos
A NVIDIA e a AMD utilizarão a tecnologia HBM4 para alimentar suas GPUs mais recentes para data centers de Inteligência Artificial ainda este ano. Tanto a série Rubin quanto a MI400 possuem especificações impressionantes, e as soluções HBM utilizadas nelas representam uma das maiores inovações.
O uso da HBM4 oferece uma melhoria significativa em largura de banda, densidade e eficiência, mas mesmo com todos os seus recursos avançados, a memória não é suficiente.
E há demanda por ainda mais capacidade aliada a uma largura de banda maior. E é neste contexto de maior demanda que entra a HBM4E, mas não dá para oferecer garantias de que isso se reverta em melhorias de preços para os consumidores.
| HBM4E (48 GB, 12-HI) | HBM4 (Especificação Máxima, 48 GB, 16-HI) | HBM3E (36 GB, 12-HI) | |
|---|---|---|---|
| Capacidade | 48 GB | 48 GB | 36 GB |
| Altura da Pilha (Stack) | 12-HI | 16-HI | 12-HI |
| Densidade dos Dies | Melhoria de 1,5x | +33% por núcleo de memória | — |
| Largura de Banda (por pino) | 3,2 Gbps (+50%) | Até 16 Gbps | 1,2 Gbps (+20%) |
| Largura de Banda da Memória | 1,5 TB/s | Superior (cargas de trabalho de IA) | 1,2 TB/s |
| Canais de Entrada/Saída (I/O) | x1024 | x2048 | x1024 |
| Tensão | 1,2 V | 1,2 V | 1,2 V |
| Eficiência | Ganho de densidade de 1,5x | +40% de eficiência energética | +10% de eficiência energética |
| Nó de Fabricação | — | TSMC N3E | — |
Mesmos problemas, outras soluções
A SK Hynix também está trabalhando em uma solução NAND empilhada de próxima geração, que apresentará um design semelhante ao da HBM, empilhando múltiplos chips NAND usando TSVs (Through-Silicon-Vias).
Essa tecnologia visa oferecer desempenho semelhante ao da HBM com capacidades semelhantes às de SSDs. Além disso, ela é semelhante ao que a HBF e a Z-Angle fazem e pode ajudar a resolver a lacuna entre oferta e demanda de memória que atualmente afeta o segmento de tecnologia.
Além da DRAM HBM, a SK Hynix também apresentou seus mais recentes produtos para o lado do cliente, como um módulo LPCAMM2 de 96 GB baseado em sua tecnologia de processo 1cnm. Este módulo LPCAMM2 atinge taxas de transferência de até 9,6 Gbps e é baseado no padrão LPDDR5X (que a Intel pretende usar).
E os módulos devem chegar ainda este ano para plataformas de “PCs com IA”.
Por fim, a empresa também está trabalhando em uma ampla gama de tecnologias NAND, como a NAND V9, que vem nas versões QLC e TLC, oferecendo até 2 TB de capacidade de armazenamento em um formato cSSD. Esses SSDs são ideais para designs de formato pequeno, alcançando alta eficiência energética sem a necessidade de DRAM.
Fonte: Wccftech.
