Samsung fecha acordo de US$ 200 bilhões com a Broadcom para produção de chips e memória

A Samsung conquistou um acordo com a Broadcom que vai resultar num investimento passando dos US$ 200 bilhões para a produção de chips e memórias até 2030 pela companhia sul-coreana. O contrato envolve a fabricação de semicondutores, envelopamento avançado de chips, memórias HBM e outros serviços do tipo.

Assim como outras companhias firmando acordos de longo prazo, a Broadcom quer garantir o fornecimento de componentes para a criação e desenvolvimento de seus produtos num mercado cada vez mais competitivo, especialmente em memórias. A Samsung, enquanto isso, tem demanda e orçamento garantido para até o fim da década.

“Essa colaboração expandida reflete o foco da Samsung em apoiar clientes com tecnologias de ponta a ponta para semicondutores, ao longo de uma gama cada vez mais diversa de aplicações em IA e computação de alta performance”, declarou a empresa para a Reuters.

A Broadcom pretende usar os componentes encomendados com a Samsung principalmente para a criação de seus aceleradores ASIC, que têm conquistado espaço no processamento de IA generativa depois de um boom inicial completamente voltado para GPUs. As duas empresas também se comprometem a trabalhar juntas no desenvolvimento das próximas gerações do HBM.

Samsung busca atrair clientes para o seu processo de 2nm

Uma parte importante do acordo com a Broadcom para a Samsung é a fabricação de chips em 2nm para os ASICs da parceira, e futuramente até mesmo na categoria sub-2nm da litografia de transistores.

Além do investimento direto, essa é uma maneira da gigante sul-coreana estabelecer credibilidade para sua tecnologia de produção de semicondutores e aumentar sua competitividade contra a TSMC, que domina o segmento.

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O processo de 2nm da TSMC é esmagadoramente popular entre as companhias que produzem os núcleos mais avançados do mundo, e um contrato desse porte pode ser a chance da Samsung de despontar como alternativa à gigante taiwanesa dos chips.

O mesmo acontece para as próximas gerações das memórias HBM, como o HBM4E e o HBM5.

Via: TechSpot