Samsung quer quadruplicar a capacidade dos SSDs com nova memória de 1.000 camadas
A Samsung abriu suas cartas sobre como pretende chegar ao armazenamento mais denso já produzido. Durante o VLSI Symposium 2026, a fabricante detalhou o roteiro rumo à NAND de 1.00…

A Samsung abriu suas cartas sobre como pretende chegar ao armazenamento mais denso já produzido. Durante o VLSI Symposium 2026, a fabricante detalhou o roteiro rumo à NAND de 1.000 camadas, com uma tecnologia capaz de multiplicar por quatro a capacidade dos SSDs em relação aos modelos vendidos hoje.
O caminho passa por um truque de engenharia… Em vez de empilhar tudo num único bloco impossivelmente alto, a empresa une duas pilhas de 450 camadas em um só componente, formando um chip da classe de 900 camadas.
Mas, por enquanto, a solução existe apenas como protótipo de laboratório.
Como a Samsung une duas pilhas em um chip
A tecnologia se chama Cell Multi-Bonding (CMB), uma variação do hybrid bonding. Em vez de simplesmente sobrepor pastilhas, o método funde dois wafers inteiros pela parte de trás, usando pequenos contatos metálicos embutidos que ligam permanentemente os dois lados em uma peça única.
A diferença para o empilhamento tradicional está aí: a Samsung conecta wafers completos, e não apenas dies individuais, o que abre espaço para somar contagens de camadas que seriam inviáveis num processo monolítico.
Junto disso, a fabricante introduziu novas estruturas de bit-line e word-line para reduzir o consumo de energia e manter o tamanho do chip sob controle.

“Pela primeira vez, a integração de V-NAND da classe de 900 camadas foi implementada unindo dois wafers de células de 450 camadas”
Os obstáculos: empenamento e desalinhamento
Empilhar tantas camadas cobra um preço… O principal problema é o empenamento do wafer, que fica mais severo conforme a estrutura cresce em altura e ameaça inviabilizar a fusão das pilhas.
A resposta da empresa foi o chamado Upper Chuck Design, um suporte que segura o wafer deformado durante o processo. Para o desalinhamento entre as duas metades, a Samsung recorreu a tecnologias de correção de sobreposição, batizadas de Overlay Correction, que reposicionam as camadas com precisão na hora de juntar os wafers.
Quanto isso aumenta a capacidade
E, olha, a conta animou o mercado, viu. Segundo o analista Ian Cutress, da MoreThanMoore, que acompanhou a apresentação, um SSD QLC de 8 TB poderia chegar a 32 TB com esse tipo de solução, mantendo o mesmo formato físico.
O roteiro completo mostra uma escalada gradual antes do grande salto:
| Período | Meta de camadas |
|---|---|
| Atual (2026) | 400+ (10ª geração V-NAND) |
| 2029 | cerca de 420 |
| 2030 | mais de 560 |
| A partir de 2030 | 900 a 1.000+ (via CMB) |
Vale o aviso de que esses números seguem como projeções de roadmap. A própria contagem que dobra de 450 para 900 camadas convive com efeitos colaterais de custo e rendimento que a empresa ainda precisa resolver antes de pensar em fábrica.

A disputa com SK Hynix e YMTC
A briga por densidade não é só da Samsun. Hoje quem lidera é a SK Hynix, primeira a desenvolver e vender NAND de 321 camadas, enquanto a maior parte da memória que chega ao consumidor ainda fica na faixa de 200 a 300 camadas.
A sul-coreana tenta encurtar essa distância com sua 10ª geração de V-NAND, acima de 400 camadas, prevista para produção em massa ainda neste ano. Para esse patamar, as duas coreanas seguem rotas distintas, com a Samsung apostando no Vertical Bonding e a rival no Hybrid Bonding.
| Empresa | Camadas atuais |
|---|---|
| SK Hynix | 321 (em produção) |
| Samsung | 400+ (10ª geração, produção em massa neste ano) |
| YMTC | 294 e 232 |
Há ainda a pressão chinesa, pois a YMTC já oferece chips de 294 e 232 camadas e investe pesado em novas fábricas para dobrar sua produção de wafers, num momento de aperto entre oferta e demanda puxado pelo ciclo de inteligência artificial.
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Produção em massa ainda está distante
Novamente, reiteramos que o entusiasmo com os 32 TB esbarra numa ressalva: o chip de 900 camadas é um protótipo, não um produto de prateleira. A Samsung mostrou a primeira amostra funcional no fim de maio, e só agora, no VLSI Symposium, apresentou o cronograma fechado até o fim da década.
A disputa concreta de curto prazo é outra. Enquanto a memória de 1.000 camadas mira o início da próxima década, a queda de braço imediata gira em torno dos 400 camadas, faixa que a SK Hynix já entrega em volume e que a Samsung corre para colocar em produção neste ano.
Para o consumidor, o recado é de paciência. Os SSDs domésticos de dezenas de terabytes dependem de o protótipo virar linha de fabricação viável, algo que a indústria projeta apenas depois de 2030.
Fonte(s): VLSI Symposium 2026 e WCCFTech
