Samsung revela zHBM, memória 3D que promete desempenho até 8 vezes maior que a HBM5
A Samsung aproveitou a FMS 2026 para apresentar um roteiro abrangente que inclui HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM, NAND de 400 camadas e dois novos conceitos chamados zHBM e zNAND-O. Essa…
A Samsung aproveitou a FMS 2026 para apresentar um roteiro abrangente que inclui HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM, NAND de 400 camadas e dois novos conceitos chamados zHBM e zNAND-O.
Essa apresentação se assemelha mais a uma proposta para clientes e investidores do que a um anúncio de produto, uma vez que a Samsung não forneceu datas de lançamento para a maioria das tecnologias.
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Destaque para a IA
O principal anúncio é o zHBM, que posiciona a memória empilhada diretamente sobre um acelerador de Inteligência Artificial. Os pacotes HBM atuais são normalmente instalados ao lado do processador; assim, a Samsung busca reduzir a distância da conexão entre a memória e o chip de processamento.
A Samsung afirma que uma futura interface zHBM poderia oferecer cerca de oito vezes o desempenho da HBM5. A empresa também projeta uma densidade de memória mais de dez vezes maior, eficiência energética três vezes superior e uma resistência térmica mais de 50% menor.
Essas estimativas baseiam-se em um modelo conceitual, sem produto, cliente ou cronograma de produção confirmados.
| Característica | HBM | HBF | zHBM |
|---|---|---|---|
| Tipo de memória | DRAM | Flash NAND | DRAM |
| Posicionamento | Ao lado do acelerador | Próxima ao acelerador | Acima do acelerador |
| Arquitetura | Empacotamento 2.5D | Flash empilhada de alta largura de banda | Empilhamento vertical 3D |
| Principal objetivo | Alta largura de banda e baixa latência | Maior capacidade com menor custo | Maior densidade e conexões mais curtas |
| Status | Tecnologia já disponível no mercado | Especificação aberta | Conceito apresentado pela Samsung |
Vale destacar que o anúncio ocorre logo após a recente revelação da tecnologia High Bandwidth Flash (HBF) pela SanDisk e pela SK hynix.
Enquanto a HBF utiliza NAND empilhada para adicionar mais capacidade de memória próxima aos processadores de IA, a zHBM concentra-se em posicionar a DRAM diretamente sobre eles. A HBF já conta com uma especificação técnica aberta, ao passo que a zHBM da Samsung permanece como uma proposta de longo prazo.
NAND de 400 camadas
A Samsung também introduziu a V10 BV-NAND, com mais de 400 camadas. Sua arquitetura Bonding V-NAND constrói as células de memória e os circuitos periféricos em wafers separados antes de uni-los.
Conforme a empresa, isso aumenta a densidade em cerca de 58% em relação à V9 NAND, mas dados detalhados de desempenho e informações sobre disponibilidade não foram divulgados.
Se ao menos a Samsung pudesse anunciar uma tecnologia revolucionária que reduzisse o custo de produção da GDDR6/GDDR7…
Fonte: Samsung.
