Sandisk e SK hynix divulgam primeiras especificações para memórias HBF
Em agosto do ano passado , a Sandisk e a SK hynix revelaram que trabalhavam juntas em uma nova tecnologia de memórias, a HBF: High Bandwith Flash. Agora, um ano depois, as companh…

Em agosto do ano passado, a Sandisk e a SK hynix revelaram que trabalhavam juntas em uma nova tecnologia de memórias, a HBF: High Bandwith Flash. Agora, um ano depois, as companhias publicam as primeiras especificações para o padrão, que deve atuar junto com módulos HBM, mas empilhando chips NAND Flash em vez de DRAM.
A HBF foi concebida como alternativa ao HBM em meio à crise de demanda por memórias. Os componentes não oferecem a mesma performance, mas podem ser um complemento interessante para trabalhar em conjunto com as tão cotadas memórias usadas em aceleradores para IA.
“Com a rápida difusão de aplicações de IA, estamos num momento em que estruturas gerais de processamento de dados precisam ser redesenhadas”, declarou Kim Chun-sung, executivo da SK hynix. “Através do HBF, a SK hynix vai expandir os limites entre memória e armazenamento e contribuir para construir novas arquiteturas que melhorem a eficiência geral dos sistemas.”

As primeiras especificações definem requisitos de performance, energia e interface entre um empilhamento HBF e seus controladores, além de informações sobre envelopamento e otimização de software para operar com os componentes.
Empresas não atualizam roadmap do HBF
A SK hynix aproveita a nova divulgação para lembrar que os primeiros produtos HBF vão mirar em até 512GB, divididos em duas configurações de empilhamento, em dies com até 8 ou 16 camadas. A banda da memória é divididas em níveis de 1 ao 3, começando em 0,4TB/s e chegando a até 3TB/s.

Curiosamente, a empresa não reitera uma janela de lançamento para os primeiros componentes. Na divulgação inicial da tecnologia foi divulgada a estimativa de que os primeiros chips HBF para testes chegariam ainda na segunda metade deste ano. Como não foi feita uma atualização, essa previsão deve ser mantida, mas isso pode ser indicativo de que talvez aconteça algum adiamento.
Leia mais:
- SK hynix amplia lucro em 557%, prevê alta nas vendas de DRAM e reforça aposta em HBM para IA
- CEO da SK hynix prevê que 2027 será o pior ano da história para o suprimento de memórias
- Kioxia e SanDisk criam NAND de 332 camadas que supera memória de 400 camadas da Samsung
A divulgação da primeira especificação vem acompanhada da notícia de que a Google e a Tenstorrent entraram para o consórcio de desenvolvimento desse padrão de memórias com base em NAND.
