SK hynix vai investir mais de US$ 38 bilhões para construir novas fábricas de memória

A SK hynix se prepara para expandir bastante sua capacidade de produção de memórias na Coreia do Sul, sua terra natal. A companhia anunciou o investimento total de 54 trilhões de wons na construção de novas fábricas, valor equivalente a mais de US$ 38 bilhões, ou R$ 195 bilhões.

Sem surpresas, a SK hynix quer aproveitar melhor a demanda explosiva por componentes de memória, impulsionada pela construção da infraestrutura para IA generativa. Uma das instalações será a Yongin Y2, voltada para a produção de módulos DRAM; enquanto a outra, chamada Cheongju M17, vai fabricar componentes NAND.

As fábricas levam o nome da cidade onde serão estabelecidas e o número da instalação. Ou seja, a Yongin Y2, por exemplo, é a segunda fábrica em Yongin, enquanto a Y1 está terminando ainda sua construção e deve ficar pronta em fevereiro de 2027.

Do investimento total, 35,2 trilhões de wons vão para a Yongin Y2, que deve ter sua construção iniciada em julho do ano que vem. A SK hynix espera que o local esteja operando em junho de 2029, para a fabricação de memórias HBM e “outros produtos DRAM da próxima geração”.

SK hynix investe menos na nova fábrica de NAND

A verdadeira corrida do mercado de memórias é atrás de módulos DRAM, então não admira que a instalação voltada para NAND não tenha o mesmo nível de importância no anúncio da SK hynix para as novas fábricas.

Os componentes serão feitos na Cheongju M17, que fica com os 19,1 trilhões de wons restantes. Como essa não tem outra instalação sendo completada na frente, a construção começa em fevereiro de 2027, e a empresa espera ter a primeira cleanroom em dezembro de 2028.

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“Esse investimento é uma decisão tomada para aproveitar as oportunidades alinhadas com a velocidade de crescimento do mercado”, declarou a SK hynix. “Ao proativamente garantir capacidades de produção, buscamos nos estabelecer como um parceiro chave na infraestrutura para IA, contribuindo com a estabilidade da cadeia de suprimentos global de semicondutores para IA.”